原子层沉积 Al₂O₃ 薄膜对单晶硅表面钝化机制的研究(下) 接中部。涵盖沉积温度SPV表征、导电类型选择性、QSSPC数据分析及结论展望。
原子层沉积 Al₂O₃ 薄膜对单晶硅表面钝化机制的研究(中) 接上部。 3 用于表面钝化的薄
原子层沉积 Al₂O₃ 薄膜对单晶硅表面钝化机制的研究 本文基于孙平杨硕士学位论文(大连理工大学,微电子学与固体电子学,导师刘爱民教授),系统阐述原子层沉积(ALD)技术制备 Al₂O₃ 薄膜对单晶硅表面的钝化机制。通过瞬态表面光伏(SPV)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X 射线衍射(XRD