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TOPCon 烧结工艺中氢扩散对多晶硅/SiO 钝化触点的调控机制 多晶硅/隧穿氧化硅（poly-Si/SiOₓ）钝化触点的烧结稳定性是 TOPCon 电池制造的核心工艺问题。本文基于二次离子质谱（SIMS）分析和复合电流密度 J₀ 表征，系统阐述烧结过程中氢从 SiN 封盖层向 SiO 界面扩散的

Administrator Administrator 发布于 2026-07-27