TOPCon 烧结工艺中氢扩散对多晶硅/SiO 钝化触点的调控机制 多晶硅/隧穿氧化硅（poly-Si/SiOₓ）钝化触点的烧结稳定性是 TOPCon 电池制造的核心工艺问题。本文基于二次离子质谱（SIMS）分析和复合电流密度 J₀ 表征，系统阐述烧结过程中氢从 SiN 封盖层向 SiO 界面扩散的
TOPCon 电池产业化关键技术难点分析 TOPCon 电池的产业化面临隧穿氧化层制备、多晶硅沉积与掺杂、硼扩散工艺、绕镀去除及金属化五大核心技术挑战。本文系统分析各工艺环节的难点根因、主流解决方案对比及工程优化方向。 1 引言 TOPCon 电池自 2013 年由 Fraunhofer ISE 提
TOPCon 太阳能电池中温光注入处理对钝化性能与电学特性的影响机制 中温光注入（medium-temperature light soaking）是 n-TOPCon 太阳能电池金属化后的关键后处理工艺，通过激活氢原子实现界面和体内缺陷的二次钝化。本文基于 Sol. Energy Mater. S
PECVD 工艺参数对 SiOx 薄膜性能的调控机制与光伏应用优化 PECVD（等离子增强化学气相沉积）通过基底温度、气体配比、Ar 稀释、反应压力和 RF 功率五大参数的协同调控，实现 SiOx 薄膜折射率、表面形貌和致密度的精确控制。本文基于 J. Phys.: Conf. Ser. 1124
