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2026 年 07 月

半导体掺杂技术中三种方法的对比分析：原位掺杂、热扩散与离子注入

2026-07-27

半导体技术 #半导体#掺杂#离子注入
半导体掺杂技术中三种方法的对比分析：原位掺杂、热扩散与离子注入 半导体材料的电学特性通过掺杂（doping）引入杂质原子实现精确调控。掺杂是半导体制造的核心工艺环节，主要有三种实现方式：原位掺杂（in-situ doping）、热扩散（thermal diffusion）和离子注入（ion impl
TOPCon 烧结工艺中氢扩散对多晶硅/SiO 钝化触点的调控机制

2026-07-27

光伏技术 #TOPCon#氢钝化#多晶硅#烧结#SiN
TOPCon 烧结工艺中氢扩散对多晶硅/SiO 钝化触点的调控机制 多晶硅/隧穿氧化硅（poly-Si/SiOₓ）钝化触点的烧结稳定性是 TOPCon 电池制造的核心工艺问题。本文基于二次离子质谱（SIMS）分析和复合电流密度 J₀ 表征，系统阐述烧结过程中氢从 SiN 封盖层向 SiO 界面扩散的
TOPCon 电池产业化关键技术难点分析

2026-07-27

光伏技术 #TOPCon#硼扩散#绕镀#金属化#工艺难点
TOPCon 电池产业化关键技术难点分析 TOPCon 电池的产业化面临隧穿氧化层制备、多晶硅沉积与掺杂、硼扩散工艺、绕镀去除及金属化五大核心技术挑战。本文系统分析各工艺环节的难点根因、主流解决方案对比及工程优化方向。 1 引言 TOPCon 电池自 2013 年由 Fraunhofer ISE 提
TOPCon 太阳能电池中温光注入处理对钝化性能与电学特性的影响机制

2026-07-27

光伏技术 #TOPCon#光注入#氢钝化#钝化接触
TOPCon 太阳能电池中温光注入处理对钝化性能与电学特性的影响机制 中温光注入（medium-temperature light soaking）是 n-TOPCon 太阳能电池金属化后的关键后处理工艺，通过激活氢原子实现界面和体内缺陷的二次钝化。本文基于 Sol. Energy Mater. S
真空度对 PVD 膜层质量的影响机制与工艺控制

2026-07-27

真空镀膜 #真空镀膜#PVD#工艺
真空度对 PVD 膜层质量的影响机制与工艺控制 真空度作为物理气相沉积（PVD）工艺的基础参数，直接影响膜层纯度、致密度、附着力及均匀性。本文从气体分子运动论出发，分析真空度对镀膜过程的物理机制，归纳真空不足导致的五类缺陷及其根因，并提出生产现场的诊断与控制方法。 1 真空度基础
PECVD 工艺参数对 SiOx 薄膜性能的调控机制与光伏应用优化

2026-07-27

光伏技术 #PECVD#SiOx#太阳能电池#薄膜沉积
PECVD 工艺参数对 SiOx 薄膜性能的调控机制与光伏应用优化 PECVD（等离子增强化学气相沉积）通过基底温度、气体配比、Ar 稀释、反应压力和 RF 功率五大参数的协同调控，实现 SiOx 薄膜折射率、表面形貌和致密度的精确控制。本文基于 J. Phys.: Conf. Ser. 1124
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